HS코드 품목분류 결정례

관세평가분류원

품목분류3과-5070

TMR sensor(HHS-TLS1139RATT-0010)

반도체 재료인 실리콘 기판 위에 반도체 일괄공정으로 제조한 (Si) TMR 센서를 리드프레임 위에 장착하고 와이어 본딩한 후 에폭시 수지로 몰딩한 패키지 형태의 4단자 물품(크기 : 0.8×0.4×0.25㎜) 이미지(상,하,좌,우) (X-Ray) 주요 사양 (용도) 자동차 및 산업자동화장비 등의 정밀기기에 장착되어 터널자기저항 효과*를 이용하여 정밀한 위치 감지 등의 기능 수행 터널자기저항(Tunnel Magneto resistance) 효과: 얇은 절연층으로 분리된 두 개의 강자성체층(Ferromagnetic Layer) 사이에서 전자가 터널링(quantum tunneling) 하면서 발생하는 저항 변화를 이용하여 자기장의 크기와 방향을 측정하는 원리 구성요소 재질 및 기능 TMR die의 내부구조 접속도 ① Vout1 : 자기장의 변화량에 따른 선형 형태의 출력 전압* ② Vout2 : 자기장의 변화량에 따른 선형 형태의 출력 전압* Vout1과 Vout2의 전압차의 절대값을 이용해 거리 계산 ③ GND : 접지단자 ④ VDD : 센서에 필요한 전원공급단자(Typical 1V, Max 5.5V) ※ 4개의 TMR element 외에 다른 능동·수동 소자는 포함되어 있지 않음 제조공정 전공정(Wafer Process) : 실리콘 웨이퍼 기반에서 물리기상증착(PVD), 평탄화(연마 공정), 포토리소그래피, 식각(etching) 등의 반도체 기술에 의한 제조 공정 ① 1∼4단계 : 실리콘 웨이퍼 기판 위에 하부 차폐막 및 하부 리드를 형성 ② 5∼8단계 : TMR을 증착하고 상부 차폐막, 상부 리드 및 요크를 형성 ③ 9∼11단계 : 보호막과 접점을 형성 후공정(Packaging Process)