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품명 | Machine tools for working any material by removal of material ; Plasma Reactive ION Etching System(RIE-10NR) ; JAPAN |
물품 | 진공 상태의 Chamber 내에 Process Gas를 흘리고 RF Power를 통해 플라즈마를 생성시켜 불량 Wafer(Chip) 표면의 Film층을 식각하는 Dry Ethcing 장비 용도 : 불량 웨이퍼를 본 품에 투입해 표면층을 layer별로 제거하는 장비로서, 본 품을 통해 layer 층을 제거한 후 다른 검사장비에서 불량여부를 확인하는 과정을 반복함으로써 웨이퍼 표면의 어떤 층에서 불량이 났는지 파악할 수 있음 |
분류 근거 | - 관세율표 제8456호에는 “각종 재료의 가공 공작기계[레이저나 그 밖의 광선·광자빔·초음파·방전·전기화학·전자빔·이온빔·플라즈마아크 방식으로 재료의 일부를 제거하여 가공하는 것으로 한정한다]와 워터제트 절단기”가 분류되며, 소호 제8456.40호에는 “플라즈마아크(plasma arc) 방식으로 하는 것”이 세분류되고 있음
- 같은 호 해설서에서 “이 호의 공작기계는 각종 재료의 성형이나 표면가공용의 기계이다.
- 이러한 공작기계는 반드시 다음과 같은 세 가지 기본적인 조건을 갖추어야만 한다.
- (i) 이러한 공작기계는 재료를 제거하는 방법으로 가공하여야 하며, (ii) 이러한 공작기계는 기존의 공구를 갖춘 공작기계에서 수행되어지는 종류로 공정이 수행되는 것이어야 하며, (iii) 이러한 공작기계는 다음의 7가지 공정 중의 하나를 사용하여야 한다 : 레이저나 그 밖의 광선ㆍ광자빔ㆍ초음파ㆍ방전ㆍ전기화학ㆍ전자빔ㆍ이온빔이나 플라즈마아크 방식”이라고 설명하고 있음
- 본 물품은 웨이퍼 표면층을 layer 별로 제거하여 불량 웨이퍼의 원인층을 파악하기 위해 진공 상태의 Chamber 내에 Process Gas를 흘리고 RF Power를 통해 플라즈마를 생성시켜 반도체 재료를 제거하는 장비로 재료의 일부를 제거하여 가공하는 가공 공작기계에 해당함
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