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품명 | RCD2005; Current 16mA ~ 24mA |
물품 | 물품 개요 Silicon Wafer에 다수의 Transistor 회로를 반도체 제조공정으로 형성하여 이를 병렬로 연결한 물품으로 Chip 상태로 절단된 웨이퍼 외부 전원의 크기에 관계없이 일정한 전류를 흐르게 하는 정전류 장치로 LED Lamp, 차량용 Lamp 등에 전류를 일정하게 흐르게 하는 용도로 사용 Wafer thickness : 250µm ± 20µm, Chp size : 0.7mm x 0.7mm |
분류 근거 | - 관세율표 제85류 주 제9호 가목에서 “‘다이오드ㆍ트랜지스터와 이와 유사한 반도체 디바이스’란 전계(電界)의 작용에 따른 저항의 변화로 작용을 하는 반도체디바이스를 말한다.”고 규정하고 있음
- 관세율표 제8541호에는 “다이오드ㆍ트랜지스터와 이와 유사한 반도체 디바이스, 감광성 반도체 디바이스(광전지는 모듈에 조립되었거나 패널로 구성되었는지 여부와 관계없이 포함한다), 발광다이오드, 장착된 압전기 결정소자”가 분류되고
- 같은 호 해설서 ‘(A) 다이오드(diodes)ㆍ트랜지스터(transistors)와 이와 유사한 반도체 디바이스(semiconductor devices)’ 그룹에서 “이 그룹의 소자의 작용은 어떤 ‘반도체(semiconductor)’ 재료의 전자적 특성에 기초를 두고 있다.
- …(중략)… 이 그룹에 해당되는 반도체 디바이스는 일반적으로 p형과 n형의 반도체 재료의 한 개 이상의 ‘접합(junctions)’으로 구성되어 있다.”라고 설명하면서
- “(2) 전계(電界)효과 트랜지스터[또한 금속산화물반도체(MOS)로 알려져 있다] : 이것은 접합을 갖거나 갖지 않을 경우도 있으나 어느 것이든 두 개의 단자간에 전하 운반자(carrier)를 감소시키거나 증가시켜 작용시킨다.
- 전계(電界)효과 트랜지스터에서는 한 종류의 전하 운반자(carrier)만으로 트랜지스터 작용을 행한다(그러므로 단극성이라 한다)”을 예시하고 있음
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