HS코드 품목분류 결정례

관세평가분류원

품목분류2과-8895

Multi chamber sputtering system ; ENTRON-EX W300

물품개요 반도체 웨이퍼 위에 구리(CU) 혹은 탄탈(TA) 금속박막의 전기회로를 형성하는 300mm Wafer 전용 박막증착(sputtering)장비로서, 구리(CU) 금속박막의 증착성과 전기적 특성을 극대화 하기 위해 sputter증착 Chamber에서 탄탈(TA)N베리어 금속막을 형성하고, CVD 증착 Chamber에서 코발트(Co) liner막을 증착 한 후 최종 sputter 증착 Chamber를 통해 구리(CU)금속 박막의 전기회로를 형성함 작동원리 Load Port를 통해 투입된 300mm웨이퍼를 Alignment가 프로세스 진행을 위해 정위치 조정한 후 웨이퍼 반송로봇을 이용하여 DEGAS Chamber로 이동시킴 DEGAS Chamber에서는 웨이퍼 표면에 부착된 수분 등을 가열하여 outgassing 한 후 REMOTE Plasma Chamber로 이동 REMOTE Plasma Chamberdptjsms 웨이퍼상의 자연산화막을 제거하고 Cool Chamber로 냉각한 후 PVD, CVD Chamber 로 이동하여 주목적인 금속 배선막을 형성하고 잔류가스와 스트레스를 Anneal Chamber에서 제거하여 외부로 배출 신청물품 주요구성요소 ①~⑦,⑪ Chamber : 프로세스가 진행될 진공 Chamber ⑧Load Port : 웨이퍼 투입 용도 ⑨Alignment : 웨이퍼 위치 조정 ⑩Robot : 웨이퍼 반송 용도 각 Chamber의 용도 및 기능 ① Remote Plasma Chamber 물리기상증착(PVD)방식으로 구리(cu) 막 증착전 밀착력을 향상하기 위해 웨이퍼 위의 자연 산화막을 제거하는 기능 ② Degas Chamber 예비 가열실로 물리기상증착(PVD) 프로세스 전에 웨이퍼 표면에 부착 된 수분 등을 Chamber Hatch에 장착된 lamp heater를 약 300도 전후로 가열하여 가스를 제거하는용으로 사용 ③,⑦,⑪ PVD Suptter Chamber 진공상태에서 Plasma를 이용하여 이온화 된 아르곤, 질소 등의 가스를 가속하여 타겟(cu, Ta)에 충돌시키고 원자를 분출시켜 금속막을 증착하고자 하는 반도체 웨이퍼상에 박막 형성 신청물품은 반도체 배선막으로 사용되는 구리 혹은 Barrier 막으로 사용되는 탈탄(Ta) 등의 증착을 주 목적으로 함 ④ Anneal Chamber 증착 프로세스 후에 가스를 투입하여 열전도에 의해 웨이퍼를 가열하는데 사용되며 증착 프로세스에서 형성 된 박막에 잔존하는 잔류가스와 스트레스를 제거하기 위해 반도체 웨이퍼를 hot Plate 위에 올려놓고 약 260전후로 가열하여 반도체의 손상을 제거(Annealing)함 ⑤ Cool Chamber 가열되어 뜨거워진 웨이퍼를 상온상태의 Chamber 또는 외부로 배출하기 위하여 아르곤 가스를 투입하여 가스의 열전도에 의해 냉각 시킴 ⑥ 화학기상증착(CVD) Chamber PVD Chamber에서 증착 되는 금속 박막(구리, 탈탄)의 특성을 향상시키기 위해 Barrier Metal막을 증착 ⑧ Load-Port 금속 배선막을 증착 하고자 하는 반도체 300mm 웨이퍼를 탑재한 카세트의 투입과 배출, 카세트의 도어를 열고 닫는 역할 ⑨ Alignment 프로세스 진행을 위해 투입되는 웨이퍼의 위치와 프로세스가 완료된 웨이퍼를 배출시 파손을 막기 위해 부착된 센서가 웨이퍼를 인식하여 위치를 조정하는 역할 각 프로세서 진행순서 ⑧Load-Port→⑨Alignment→② Degas Chamber→ ① Remote Plasma Chamber→⑤Cool Chamber→⑦PVD Suptter Chamber→⑥CVD Chamber→④Anneal Chamber→ ⑪ PVD Suptter Chamber→⑤ Cool Chamber→③PVD Suptter Chamber→ ⑧ Load-Port